29 сентября 2022
Сапфировые кристаллы широко используются в оптике и оптоэлектронике в качестве ударопрочных стекол, а также являются основным материалом подложек при формировании светоизлучающих устройств. В связи с этим важно изучение устойчивости кристаллов при внешнем воздействии и возможности модификации их поверхности.
Учение из Института кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН исследовали процессы травления поверхности сапфира в условиях вакуума электронами с энергией до 70 кэВ с использованием катодолюмине.
Ранее, различные источники сообщали об обнаружении процесса травления поверхности сапфира при длительном облучении электронами средних энергий и одновременном нагревании образца. Разработка высокоскоростной методики травления сапфировых подложек потоком электронов без необходимости нагрева позволит упростить процедуру их профилирования, используемую для повышения эффективности светоизлучающих устройств.
Прочитать подробнее о том, где может найти применение металл-стимулированное травление сапфира и к чему приведет понимание природы травления, читайте в Materials.
Картинка для анонса:
Детальная картинка: Array