Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН

Об институте

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова был создан распоряжением Президиума АН СССР от 16 ноября 1943 года на базе Лаборатории кристаллографии АН СССР. Первым директором Института стал член-корреспондент АН СССР Алексей Васильевич Шубников.

В разные годы сотрудники Института кристаллографии им. А.В. Шубникова были удостоены двух Ленинских премий, в стенах ИК РАН трудились 21 лауреат Государственной премии и 6 лауреатов премий Совета министров СССР и Правительства РФ. В 1969 году Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова был награжден Орденом Трудового Красного Знамени.

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН имеет широкие научные связи с ведущими университетами, исследовательскими центрами и научными учреждениями в Российской Федерации и в мире. В ИК РАН выполняются работы в рамках нескольких действующих международных соглашений о научно-техническом сотрудничестве.

Направления научной деятельности

• Нано- и биоорганические материалы: получение, синтез, структура и свойства, методы диагностики с использованием рентгеновского и синхротронного излучения, электронов, нейтронов и атомно-силовой микроскопии:
  • Развитие методов диагностики неорганических, органических и биоорганических материалов с использованием рентгеновского и синхротронного излучений, электронов и нейтронов;
  • Создание, изучение структуры и свойств органических и биоорганических материалов;
  • Создание, изучение структуры и свойств наноматериалов с использованием электронов и атомно-силовой микроскопии;
  • Ядерно-резонансные и синхротронные методы исследования и диагностики кристаллических материалов и магнитных наноструктур, в том числе в экстремальных условиях высоких давлений и низких температур.
• Фундаментальные аспекты образования кристаллических материалов и наносистем, их реальная структура и свойства:
  • Теоретическое моделирование структуры и свойств неорганических, органических и биологических материалов;
  • Исследования процессов образования кристаллических материалов, их дефектной структуры и свойств, в том числе под влиянием внешних воздействий.
• Новые кристаллические и функциональные материалы.

Подразделения

• Лаборатория рентгеновских методов анализа и синхротронного излучения
• Лаборатория рефлектометрии и малоуглового рассеяния
• Лаборатория биоорганических структур
• Лаборатория электронной микроскопии
• Лаборатория электронографии
• Сектор электронной дифрактометрии
• Сектор сканирующей зондовой микроскопии
• Лаборатория резонансных методов исследований
• Сектор физики высоких давлений
• Сектор Мессбауэровской спектроскопии
• Лаборатория процессов кристаллизации
• Лаборатория кристаллооптики
• Лаборатория механических свойств кристаллов
• Лаборатория жидких кристаллов
• Лаборатория самоорганизации наночастиц и фотоники микроансамблей наночастиц
• Отдел теоретических исследований
• Лаборатория роста тонких пленок и неорганических наноструктур
• Лаборатория высокотемпературной кристаллизации
• Лаборатория технологии обработки кристаллов
• Лаборатория ростовых технологий, синтеза и выращивания кристаллов
• Лаборатория ядерных фильтров
• Опытно-экспериментальный отдел

   www.crys.ras.ru