В связи с присоединением Федерального научно-исследовательского центра «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук к Национальному исследовательскому центру «Курчатовский институт» (Распоряжение Правительства Российской Федерации от 24 июля 2023 года № 1980-р), информация о приёме на обучение в аспирантуру на 2024/2025 учебный год размещена на сайте НИЦ «Курчатовский институт».
В соответствии с Федеральным законом от 29 декабря 2012 года № 273-ФЗ «Об образовании в Российской Федерации» аспирантура является третьим уровнем высшего образования (ВО) для подготовки научно-педагогических и научных кадров высшей квалификации с целью проведения научных исследований, подготовки и защиты диссертации на соискание ученой степени кандидата наук, сдачи кандидатских экзаменов.
В аспирантуре Федерального научно-исследовательского центра «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук (ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН) осуществляется подготовка аспирантов по следующим направлениям и научным специальностям:
| Коды направлений подготовки |
Наименования укрупненных групп направлений подготовки. Наименования направлений подготовки |
Шифр | Область науки, группа научных специальностей, научная специальность |
|---|---|---|---|
| 03.06.01 | Физика и астрономия | 1.3 | Физические науки |
| 1.3.8 | Физика конденсированного состояния | ||
| 1.3.19 | Лазерная физика | ||
| 1.3.20 | Кристаллография, физика кристаллов | ||
| 04.06.01 | Химические науки | 1.4 | Химические науки |
| 1.4.3 | Органическая химия | ||
| 1.4.4 | Физическая химия | ||
| 11.06.01 | Электроника, радиотехника и системы связи | 2.2 | Электроника, фотоника, приборостроение и связь |
| 2.2.2 | Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств |
Подготовка аспирантов осуществляется ведущими специалистами Центра.
Срок обучения в очной аспирантуре – четыре года, заочной – пять лет.
Иногородним аспирантам предоставляется общежитие.
Количество мест в общежитии на 2022 год – 1 (может быть увеличено при необходимости).
Лицензия
Выписка из реестра лицензий Рособрнадзора от 12 июля 2022 года
Свидетельство о государственной аккредитации
Сроки приема документов и проведения вступительных испытаний:
Сроки приема документов: 8 августа – 25 августа
Сроки проведения экзаменов: 1 сентября – 27 сентября
Подлинник диплома необходимо представить не позднее: 28 сентября
Зачисление и начало обучения: 1 октября
Даты и время проведения вступительных испытаний определяются расписанием.
К освоению программ подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре допускаются лица, имеющие образование не ниже высшего - специалитет или магистратура. Прием на обучение осуществляется на первый курс.
ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН осуществляет прием по следующим условиям поступления на обучение (далее - условия поступления) с проведением отдельного конкурса по каждой совокупности этих условий:
- по ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН в целом;
- по очной форме обучения;
- раздельно по группам научных специальностей с проведением отдельного конкурса по каждой научной специальности:
Физические науки
1.3.8 Физика конденсированного состояния
1.3.19 Лазерная физика
1.3.20 Кристаллография, физика кристаллов
Химические науки
1.4.3 Органическая химия
1.4.4 Физическая химия
Электроника, фотоника, приборостроение и связь
2.2.2 Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
Прием на обучение осуществляется по заявлению о приеме, которое подается поступающим с приложением необходимых документов.
Поступающие в аспирантуру сдают следующие вступительные испытания со следующей приоритетностью:
1. Специальную дисциплину, являющуюся приоритетным вступительным испытанием.
Программы вступительных экзаменов:
- физика конденсированного состояния
- кристаллография, физика кристаллов
- органическая химия
- физическая химия
- электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
2. Иностранный язык.
Вступительные испытания проводятся в устной форме по билетам. Каждое вступительное испытание оценивается по пятибалльной шкале. Минимальное количество баллов, подтверждающее успешное прохождение вступительного испытания (далее - минимальное количество баллов) – 3 балла. При выставлении оценки суммируются баллы, полученные при оценке всех видов испытаний. Минимальное количество баллов, подтверждающее прохождение устного вступительного испытания – 3 балла. Минимальная сумма баллов для участия в конкурсе на бюджет и представления к зачислению – 6 баллов. Вступительные испытания по специальным дисциплинам, организуемые ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН, проводятся на русском языке.
Особенности проведения вступительных испытаний для поступающих инвалидов
Поступающие на обучение в аспирантуру ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН вправе представить сведения о своих индивидуальных достижениях, результаты которых учитываются при приеме на обучение. Учет индивидуальных достижений осуществляется посредством начисления баллов за индивидуальные достижения и в качестве преимущества при равенстве критериев ранжирования списков поступающих.
Баллы, начисленные за индивидуальные достижения (см. таблицу), включаются в сумму конкурсных баллов.
Поступающий представляет документы, подтверждающие получение индивидуальных достижений.| № п/п | Вид достижения | Подтверждающие документы | Количество баллов |
|---|---|---|---|
| 1 |
Победитель научно-практической конференции (очное участие): - всероссийской - международной |
Диплом победителя или призера |
1 2 |
| 2 |
Наличие научных публикаций в изданиях: - всероссийских, международных - включенных в перечень ВАК, международных, включенных в Web of Sciencе, Scopus |
Титульный лист, оглавление, текст публикации |
1 2 |
| 3 | Наличие свидетельств о регистрации авторских прав на объект интеллектуальной деятельности | Свидетельства о государственной регистрации авторского права | 3 |
| 4 | Наличие диплома с отличием (магистра, специалиста) в соответствии с направлением подготовки аспирантуры | Диплом с отличием | 1 |
Прием на обучение по программам аспирантуры осуществляется по результатам вступительных испытаний.
Общие правила подачи и рассмотрения апелляций по результатам вступительных испытаний.
При подаче заявления о приеме поступающий представляет:
- документ (документы), удостоверяющий личность, гражданство (в том числе может представить паспорт гражданина Российской Федерации, удостоверяющий личность гражданина Российской Федерации за пределами территории Российской Федерации);
- - документ об образовании и о квалификации установленного федеральным органом исполнительной власти, осуществляющим функции по выработке государственной политики и нормативно-правовому регулированию в сфере образования, или федеральным органом исполнительной власти, осуществляющим функции по выработке государственной политики и нормативно-правовому регулированию в сфере здравоохранения, или федеральным органом исполнительной власти, осуществляющим функции по выработке государственной политики и нормативно-правовому регулированию в сфере культуры, образца;
- документ государственного образца об уровне образования и о квалификации, полученный до 1 января 2014 г.;
- документ об образовании и о квалификации образца, установленного федеральным государственным бюджетным образовательным учреждением высшего профессионального образования «Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова» (далее - Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова) и федеральным государственным бюджетным образовательным учреждением высшего профессионального образования «Санкт-Петербургский государственный университет» (далее - Санкт-Петербургский государственный университет), или документ об образовании и о квалификации образца, установленного по решению коллегиального органа управления образовательной организации, если указанный документ выдан лицу, успешно прошедшему государственную итоговую аттестацию;
- документ об образовании и о квалификации, выданный частной организацией, осуществляющей образовательную деятельность на территории инновационного центра «Сколково», или предусмотренными частью 3 статьи 21 Федерального закона от 29 июля 2017 года № 216-ФЗ «Об инновационных научно-технологических центрах и о внесении изменений в отдельные законодательные акты Российской Федерации» (Собрание законодательства Российской Федерации, 2017, № 31, ст. 4765) организациями, осуществляющими образовательную деятельность на территории инновационного научно-технологического центра;
- документ (документы) иностранного государства об образовании и о квалификации, если указанное в нем образование признается в Российской Федерации на уровне соответствующего высшего образования (не ниже специалитета).
Поступающий может представить один или несколько документов установленного образца. Свидетельство о признании иностранного образования (при необходимости) представляется в те же сроки, что и документ установленного образца; - документ, подтверждающий регистрацию в системе индивидуального (персонифицированного) учета (при наличии);
- при необходимости создания для поступающего специальных условий, документ, подтверждающий инвалидность, в связи с наличием которой необходимо создание указанных условий (указанный документ принимается организацией, если он действителен на день подачи заявления о приеме), а также заключение федерального учреждения медико-социальной экспертизы об отсутствии противопоказаний для прохождения обучения в аспирантуре ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН;
- документы, подтверждающие индивидуальные достижения поступающего, результаты которых учитываются при приеме на обучение (представляются по усмотрению поступающего);
- иные документы (представляются по усмотрению поступающего);
- две фотографии 3х4.
Документы, необходимых для поступления, представляются (направляются) поступающим во ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН одним из следующих способов:
- предоставляются в организацию лично поступающим по указанным ниже адресам (в зависимости от научной специальности):
- по научным специальностям: 1.3.8 Физика конденсированного состояния, 1.3.19 Лазерная физика, 1.3.20 Кристаллография, физика кристаллов, 1.4.3 Органическая химия, 1.4.4 Физическая химия - 119333, г. Москва, Ленинский проспект, дом 59, ИК РАН, комн. 505, адрес электронной почты aspirantura@crys.ras.ru;
- по научной специальности 2.2.2 Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств - 140700, Московская область, г. Шатура, ул. Святоозерская, дом 1, адрес электронной почты aspirantura_iplit@crys.ras.ru. - направляются через операторов почтовой связи общего пользования по указанным выше адресам (поступающий должен уведомить Приемную комиссию об отправке документов по электронной почте aspirantura@crys.ras.ru или aspirantura_iplit@crys.ras.ru в зависимости от научной специальности);
- направляются в электронной форме посредством электронной информационной системы ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН на адрес электронный почты aspirantura@crys.ras.ru или aspirantura_iplit@crys.ras.ru в зависимости от научной специальности.
Документы, направленные по почте, принимаются ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН при их поступлении не позднее сроков завершения приема документов, установленных настоящими Правилами.
Контрольные цифры приема за счет средств Федерального бюджета на 2023/2024 учебный год:
| Коды направлений подготовки |
Наименования укрупненных групп направлений подготовки. Наименования направлений подготовки |
Контрольные цифры приема | Шифр | Область науки, группа научных специальностей, научная специальность |
|---|---|---|---|---|
| 03.06.01 | Физика и астрономия | 7 | 1.3 | Физические науки |
| 1.3.8 | Физика конденсированного состояния | |||
| 1.3.19 | Лазерная физика | |||
| 1.3.20 | Кристаллография, физика кристаллов | |||
| 04.06.01 | Химические науки | 2 | 1.4 | Химические науки |
| 1.4.3 | Органическая химия | |||
| 1.4.4 | Физическая химия | |||
| 11.06.01 | Электроника, радиотехника и системы связи | 3 | 2.2 | Электроника, фотоника, приборостроение и связь |
| 2.2.2 | Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств |
Распределение мест для приема в аспирантуру ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН за счет бюджетных ассигнований федерального бюджета в 2023 году. Очная форма обучения. Приказ Министерства науки и высшего образования Российской Федерации от 24 августа 2021 года № 786 «Об установлении соответствия направлений подготовки научно-педагогических кадров в аспирантуре (адъюнктуре) научным специальностям, предусмотренным номенклатурой научных специальностей, по которым присуждаются ученые степени, утвержденной приказом Министерства науки и высшего образования Российской Федерации от 24 февраля 2021 года № 118».
| Коды направлений подготовки |
Наименования укрупненных групп направлений подготовки. Наименования направлений подготовки |
Шифр | Область науки, группа научных специальностей, научная специальность | Отрасли науки, по которым присуждаются ученые степени | Распределение бюджетных мест | Квота на целевое обучение |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 03.06.01 | Физика и астрономия | 1. | ЕСТЕСТВЕННЫЕ НАУКИ | |||
| 1.3 | Физические науки | |||||
| 1.3.8 | Физика конденсированного состояния | Физико-математические | 2 | 0 | ||
| 1.3.19 | Лазерная физика | Физико-математические | 1 | 0 | ||
| 1.3.20 | Кристаллография, физика кристаллов | Физико-математические | 4 | 1 | ||
| 04.06.01 | Химические науки | 1. | ЕСТЕСТВЕННЫЕ НАУКИ | |||
| 1.4 | Химические науки | |||||
| 1.4.3 | Органическая химия | Химические науки | 2 | 0 | ||
| 1.4.4 | Физическая химия | Химические науки | 0 | 0 | ||
| 11.06.01 | Электроника, радиотехника и системы связи | 2. | ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ | |||
| 2.2 | Электроника, фотоника, приборостроение и связь | |||||
| 2.2.2 | Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств | Физико-математические | 3 | 0 | ||
Программы вступительных испытаний для поступающих на обучение по программам подготовки научных и
1.3 Физические науки. Научная специальность 1.3.8. Физика конденсированного состояния
1.3 Физические науки. Научная специальность 1.3.19. Лазерная физика
1.3 Физические науки. Научная специальность 1.3.20. Кристаллография, физика кристаллов
1.4 Химические науки. Научная специальность 1.4.3. Органическая химия
1.4 Химические науки. Научная специальность 1.4.4. Физическая химия
2.2 Электроника, фотоника, приборостроение и связь. Научная специальность 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств