25.02.2019
21 февраля 2019 года в Институте кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН прошел Объединенный научный семинар. Свой доклад «Сегнетоэлектрики в условиях ограниченной геометрии» представил
В докладе рассматривались вопросы, связанные с влиянием ограниченной геометрии на макроскопические свойства и кристаллическую структуру сегнетоэлектриков, внедренных в пористые матрицы с нанометровыми каналами, а также приводились результаты исследования фазовых переходов в данных нанокомпозитах. В качестве матриц использовались пористые стекла, опалы, хризотиловые асбесты и мезопористые структуры типа MCM и SBA. Было исследовано влияние размера каналов на тип ФП, стабильность кристаллических фаз для нанокомпозитов, содержащих внедренные