29.05.2023
Получение графена путем графитизации поверхности карбида кремния для высокотехнологичных отраслей промышленности является крайне перспективным направлением исследования.
Подложки с террасно-ступенчатым нанорельефом также представляют интерес как основа для изготовления наноэлектронных устройств. Сочетание методов рентгеновского рассеяния в условиях скользящего падения и атомно-силовой микроскопии позволяет всесторонне охарактеризовать параметры регулярного нанорельефа подложек карбида кремния. Результаты обоих методов свидетельствует о сохранении статистических параметров структуры, наблюдаемой в атомно-силовом микроскопе, по всей поверхности подложки.
С развитием технологий высокотемпературной обработки подложек карбида кремния возникает необходимость учитывать условия и понимать механизмы изменения структуры поверхности, приводящие к образованию террасно-ступенчатого нанорельефа.
Рис. 1. Слева – атомно-силовое изображение поверхности карбида кремния с террасно-ступенчатой структурой. Зелеными линиями указаны направления расчета профиля поверхности. Посередине – профили поверхности в перпендикулярных направлениях (синяя и оранжевая кривая) и в направлении зеленых линий. Справа – рассчитанная по данным атомно-силовой микроскопии в направлении зеленых линий функция спектральной плотности мощности в сравнении с функцией, полученной в одном из направлений по данным рентгеновского рассеяния (серая кривая).
Цель совместной работы ученых Института кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН и коллегами из Физико-технического института имени А.Ф. Иоффе – оценить применимость методов рентгеновской рефлектометрии и рассеяния в условиях скользящего падения для изучения неоднородностей по глубине и в латеральном направлении подложек карбида кремния, подвергнутых отжигу в вакууме при температуре
Исследование сотрудников ИК РАН опубликовано в журнале Materials.